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DTC143XMT2L

DTC143XMT2L Rohm Semiconductor

dtc143xe3e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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Technische Details DTC143XMT2L Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTC143XMT2L DTC143XMT2L Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143XM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 8000 Stücke:
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC143XM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
auf Bestellung 980 Stücke:
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910+0.094 EUR
980+0.087 EUR
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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983+0.17 EUR
1348+0.12 EUR
1662+0.094 EUR
2000+0.081 EUR
8000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L Rohm Semiconductor dtc143xe3e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
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1350+0.12 EUR
1664+0.099 EUR
2000+0.088 EUR
8000+0.067 EUR
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143XM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
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500+0.15 EUR
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DTC143XMT2L DTC143XMT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143XM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
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8000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DTC143XMT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 10864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
607+0.29 EUR
985+0.18 EUR
1350+0.12 EUR
1664+0.099 EUR
2000+0.088 EUR
8000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
auf Bestellung 5434 Stücke:
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7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.096 EUR
8000+0.082 EUR
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DTC143XMT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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39+0.55 EUR
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101+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH