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DTD113EKT146

DTD113EKT146 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD113EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistors Included: R1 and R2
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
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Technische Details DTD113EKT146 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Produktpalette: DTD113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor 160dtd113ek.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor 160dtd113ek.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.55 EUR
496+0.35 EUR
679+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor 160dtd113ek.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.88 EUR
323+0.52 EUR
498+0.32 EUR
682+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD113EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor 160dtd113ek.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 ROHM dtd113ek.pdf Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 ROHM dtd113ek.pdf Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTD113EKT146 DTD113EKT146 Rohm Semiconductor 160dtd113ek.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 397 Stücke
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DTD113EKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 507 Stücke
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4760 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
321+0.55 EUR
496+0.35 EUR
679+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4760 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
198+0.88 EUR
323+0.52 EUR
498+0.32 EUR
682+0.23 EUR
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Digital Transistors NPN 50V 500MA
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10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
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DTD113EKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.07 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTD113EKT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTD113EKT146 dtd113ek.pdf
DTD113EKT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTD113EKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 401 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 397 Stücke
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