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DTD113ZCT116

DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
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Technische Details DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD113Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1019+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
708+0.25 EUR
1157+0.14 EUR
1350+0.12 EUR
1537+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 708 Stücke
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor dtd113zct116-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.42 EUR
711+0.24 EUR
1162+0.14 EUR
1357+0.11 EUR
1546+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.52 EUR
935+0.25 EUR
1423+0.15 EUR
1504+0.14 EUR
1645+0.13 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
935+0.25 EUR
1423+0.15 EUR
1504+0.14 EUR
1645+0.13 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
auf Bestellung 16565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
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DTD113ZCT116 DTD113ZCT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 16763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
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DTD113ZCT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 5970 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1019+0.17 EUR
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5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
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DTD113ZCT116
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
708+0.25 EUR
1157+0.14 EUR
1350+0.12 EUR
1537+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 708 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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711+0.24 EUR
1162+0.14 EUR
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DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
479+0.52 EUR
935+0.25 EUR
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DTD113ZCT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
935+0.25 EUR
1423+0.15 EUR
1504+0.14 EUR
1645+0.13 EUR
5000+0.086 EUR
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DTD113ZCT116 datasheet?p=DTD113ZC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD113ZCT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
auf Bestellung 16565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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6000+0.099 EUR
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DTD113ZCT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 16763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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