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DTD114GKT146

DTD114GKT146 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD114GK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DTD114GKT146 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD114GK Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD114GKT146 DTD114GKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD114GK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 Rohm Semiconductor dtd114gk.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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171+1.02 EUR
250+0.96 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 Rohm Semiconductor dtd114gk.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 ROHM dtd114gk.pdf Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 863 Stücke:
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207+1.21 EUR
336+0.69 EUR
527+0.4 EUR
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 ROHM dtd114gk.pdf Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD114GK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 500MA
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DTD114GKT146 DTD114GKT146 Rohm Semiconductor dtd114gk.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTD114GK T146 ROHM SOT23
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DTD114GKT146 ROHM datasheet?p=DTD114GK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SOT-23 96+
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DTD114GKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
27+0.8 EUR
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DTD114GKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DTD114GKT146
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Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTD114GKT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 863 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
207+1.21 EUR
336+0.69 EUR
527+0.4 EUR
690+0.31 EUR
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DTD114GKT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
207+1.21 EUR
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527+0.4 EUR
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DTD114GKT146 datasheet?p=DTD114GK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD114GKT146
Hersteller: ROHM Semiconductor
Digital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 2975 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
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DTD114GKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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Hersteller: ROHM
SOT23
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Hersteller: ROHM
SOT-23 96+
auf Bestellung 3000 Stücke:
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