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DTD123EKT146

DTD123EKT146 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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Technische Details DTD123EKT146 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SMT3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD123EKT146 DTD123EKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD123EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
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DTD123EKT146 DTD123EKT146 Rohm Semiconductor dtd123ekt146-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
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DTD123EKT146 DTD123EKT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD123EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 500MA
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DTD123EKT146 DTD123EKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD123EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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DTD123EK T146 ROHM SOT23
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DTD123EKT146 datasheet?p=DTD123EK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD123EKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
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Digital Transistors NPN 50V 500MA
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DTD123EK T146
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SOT23
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