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DTD123TKT146

DTD123TKT146 Rohm Semiconductor

datasheet?p=DTD123TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details DTD123TKT146 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTD123T Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DTD123TKT146 DTD123TKT146 Rohm Semiconductor dtd123tk.pdf Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.32 EUR
557+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 537 Stücke
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DTD123TKT146 DTD123TKT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=DTD123TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN 50V 500MA
auf Bestellung 3937 Stücke:
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4+0.99 EUR
10+0.79 EUR
100+0.44 EUR
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DTD123TKT146 DTD123TKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD123TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
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DTD123TKT146 DTD123TKT146 ROHM dtd123tk.pdf Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTD123TKT146
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
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Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
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Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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