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DXT2010P5-13

DXT2010P5-13 Diodes Incorporated

ds32011.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details DXT2010P5-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3.2 W.

Weitere Produktangebote DXT2010P5-13 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 Diodes Incorporated ds32011.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
auf Bestellung 32999 Stücke:
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12+1.76 EUR
20+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
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DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 DIODES INC. DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
174+1.34 EUR
235+0.92 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 DIODES INC. DIODS12590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
174+1.34 EUR
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DXT2010P5-13 DXT2010P5-13 Diodes Incorporated ds32011.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
auf Bestellung 11278 Stücke:
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2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DXT2010P5-13 ds32011.pdf
DXT2010P5-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
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DXT2010P5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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DXT2010P5-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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174+1.34 EUR
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DXT2010P5-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
auf Bestellung 11278 Stücke:
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2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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