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DXT2011P5Q-13

DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated

DXT2011P5Q.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 3.2 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DXT2011P5Q-13 DXT2011P5Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0013022790_1-2544049.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
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DXT2011P5Q-13 DXT2011P5Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXT2011P5Q.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DXT2011P5Q-13 DXT2011P5Q-13 Hersteller : Diodes Inc dxt2011p5q.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
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DXT2011P5Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXT2011P5Q.pdf DXT2011P5Q-13 NPN SMD transistors
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