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DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated


DXT2011P5Q.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.43 EUR
10000+0.4 EUR
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Technische Details DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5, Power - Max: 3.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerDI™ 5, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote DXT2011P5Q-13 nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DXT2011P5Q-13 DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated DXT2011P5Q.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 28036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
16+1.16 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.49 EUR
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DXT2011P5Q-13 DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated DXT2011P5Q.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
100+0.76 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.4 EUR
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Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
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Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
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