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DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13 Diodes Incorporated

DXTC3C100PDQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
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Technische Details DXTC3C100PDQ-13 Diodes Incorporated

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.47W, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD).

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DXTC3C100PDQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DXTC3C100PDQ-3104064.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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