DXTN22040DFGQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.34 EUR |
| 10000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details DXTN22040DFGQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 198MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DXTN22040DFGQ-7 nach Preis ab 0.4 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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DXTN22040DFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 198MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTN22040DFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 198MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXTN22040DFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 198MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN22040DFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K |
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