DXTN3C100PSQ-13
Produktcode: 220151
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote DXTN3C100PSQ-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor |
auf Bestellung 1573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
NPN Low Sat Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
DXTN3C100PSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |