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DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ.pdf
Produktcode: 220151
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
187+1.25 EUR
287+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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DXTN3C100PSQ-13 DXTN3C100PSQ-13 DIODES INC. DXTN3C100PSQ.pdf Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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DXTN3C100PSQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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DXTN3C100PSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Description: DIODES INC. - DXTN3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
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Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Osram
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 50 В
Spektralbereich 0.5, nm: 750-1100 нм
Spektrales Maximum, nm: 900 нм
Anstiegs-/Abfallzeit Ton/Tof, µs: 0,005/0,005 µc
Zusätzlich: Fotodiode, schwarze abgeflachte Linse, 5 mm
Typ: Fotodiode
auf Bestellung: 20 St.
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AnzahlPrivatkunde
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