DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| 7500+ | 0.29 EUR |
| 12500+ | 0.28 EUR |
| 17500+ | 0.27 EUR |
| 25000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DXTN3C60PSQ-13 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DXTN3C60PSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 46979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |