DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| 7500+ | 0.35 EUR |
| 12500+ | 0.33 EUR |
| 17500+ | 0.32 EUR |
| 25000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI5060, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote DXTN3C60PSQ-13 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DXTN3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 46979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXTN3C60PSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN3C60PSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 46979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.62 EUR |
| 21+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| DXTN3C60PSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
| 5000+ | 0.36 EUR |
| DXTN3C60PSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| DXTN3C60PSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTN3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 2.5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.75 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |



