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DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated


DXTN58100CFDB.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Power - Max: 690 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 690 mW.

Weitere Produktangebote DXTN58100CFDB-7 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DXTN58100CFDB-7 DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600114_1-2543169.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
auf Bestellung 2760 Stücke:
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3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
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Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
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10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.34 EUR
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