DXTP3C60PSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 169+ | 1.49 EUR |
| 225+ | 1.04 EUR |
| 328+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details DXTP3C60PSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 135MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DXTP3C60PSQ-13 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Frequency - Transition: 135MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 169+ | 1.49 EUR |
| 225+ | 1.04 EUR |
| 328+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| DXTP3C60PSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Frequency - Transition: 135MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.63 EUR |
| 21+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| DXTP3C60PSQ-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.98 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |



