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DXTP3C60PSQ-13

DXTP3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0005736621_1-2542740.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
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Technische Details DXTP3C60PSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 135MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DXTP3C60PSQ-13 DXTP3C60PSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005736621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Verlustleistung: 5W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DXTP3C60PSQ-13 DXTP3C60PSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0005736621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DXTP3C60PSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DXTP3C60PSQ-13 PNP SMD transistors
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