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DZT5551-13

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Produktcode: 131145
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
7500+0.19 EUR
17500+0.18 EUR
62500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
12500+0.18 EUR
17500+0.17 EUR
25000+0.15 EUR
62500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
434+0.4 EUR
506+0.33 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Zetex ds31219.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
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434+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.86 EUR
125+0.68 EUR
152+0.56 EUR
208+0.4 EUR
264+0.32 EUR
323+0.26 EUR
341+0.25 EUR
500+0.2 EUR
650+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219-3215038.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
259+0.89 EUR
419+0.51 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
259+0.89 EUR
419+0.51 EUR
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1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
7500+0.19 EUR
17500+0.18 EUR
62500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.19 EUR
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17500+0.17 EUR
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DZT5551-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
434+0.4 EUR
506+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 434 Stücke
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DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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DZT5551-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.86 EUR
125+0.68 EUR
152+0.56 EUR
208+0.4 EUR
264+0.32 EUR
323+0.26 EUR
341+0.25 EUR
500+0.2 EUR
650+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DZT5551-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DZT5551-13 ds31219.pdf
DZT5551-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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27+0.8 EUR
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500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DZT5551-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.57 EUR
259+0.89 EUR
419+0.51 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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DZT5551-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4666 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
160+1.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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DZT5551-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
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