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DZT5551-13

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Produktcode: 131145
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
7500+0.22 EUR
12500+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 DIODES INCORPORATED ds31219.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
174+0.41 EUR
224+0.32 EUR
248+0.29 EUR
319+0.22 EUR
500+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219-3215038.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+0.62 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DZT5551-13 DZT5551-13 Diodes Incorporated ds31219.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 33840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DZT5551-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
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DZT5551-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
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Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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DZT5551-13 ds31219-3215038.pdf
DZT5551-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
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