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E3M0160120K Wolfspeed, Inc.


Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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Technische Details E3M0160120K Wolfspeed, Inc.

Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Power Dissipation (Max): 115W, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
E3M0160120K Wolfspeed MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
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E3M0160120K Wolfspeed E3M0160120K
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E3M0160120K
Hersteller: Wolfspeed
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
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E3M0160120K
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