E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Power Dissipation (Max): 115W
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
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Technische Details E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Supplier Device Package: TO-247-4L, Power Dissipation (Max): 115W, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote E3M0160120K
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| E3M0160120K | Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| E3M0160120K |
Hersteller: Wolfspeed
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH