Technische Details E3M0160120K Wolfspeed
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Power Dissipation (Max): 115W, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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E3M0160120K | Hersteller : Wolfspeed | E3M0160120K |
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E3M0160120K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247- Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Power Dissipation (Max): 115W Supplier Device Package: TO-247-4L Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
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E3M0160120K | Hersteller : Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3 |
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