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ECH8310-TL-H

ECH8310-TL-H onsemi

ech8310-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
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Technische Details ECH8310-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ECH8310-TL-H ECH8310-TL-H ON Semiconductor ECH8310-D-72318.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
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ECH8310-TL-H ECH8310-TL-H ONSEMI 2578329.pdf Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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ECH8310-TL-H
Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
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ECH8310-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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