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ECH8693R-TL-W

ECH8693R-TL-W onsemi

ech8693r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details ECH8693R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote ECH8693R-TL-W nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W onsemi ech8693r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
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19+0.98 EUR
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ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W onsemi ech8693r-d.pdf MOSFETs N-CH Pwr MOSFET 24V 14A 7mOhm
auf Bestellung 19792 Stücke:
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10+1.02 EUR
100+0.68 EUR
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1000+0.47 EUR
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6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W ONSEMI 2337926.pdf Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ECH8693R-TL-W ech8693r-d.pdf
ECH8693R-TL-W
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
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AnzahlPreis
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Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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