EFC6602R-TR onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details EFC6602R-TR onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020.
Weitere Produktangebote EFC6602R-TR nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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EFC6602R-TR | Hersteller : onsemi |
MOSFET Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mO, 18 A, Dual N-Channel |
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EFC6602R-TR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 18A 6-Pin WLCSP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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EFC6602R-TR | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020 |
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