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EFC8811R-TF

EFC8811R-TF onsemi

efc8811r-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
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Technische Details EFC8811R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023), Bauform - Transistor: CSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EFC8811R-TF EFC8811R-TF onsemi efc8811r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
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11+1.98 EUR
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EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 861 Stücke:
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131+1.77 EUR
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EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
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EFC8811R-TF EFC8811R-TF ON Semiconductor EFC8811R_D-2311050.pdf MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
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EFC8811R-TF ON Semiconductor efc8811r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
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EFC8811R-TF ON Semiconductor efc8811r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
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44+3.83 EUR
45+3.65 EUR
100+2.96 EUR
250+2.7 EUR
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1000+2.08 EUR
3000+2.01 EUR
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EFC8811R-TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
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EFC8811R-TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 861 Stücke:
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131+1.77 EUR
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EFC8811R-TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
auf Bestellung 3781 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
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39+4.52 EUR
44+3.83 EUR
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