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EGF1B-E3/5CA

EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor

egf1a.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
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Technische Details EGF1B-E3/5CA Vishay General Semiconductor

Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EGF1B-E3/5CA EGF1B-E3/5CA Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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Packaging: Tape & Reel (TR)
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
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