EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
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Technische Details EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
Weitere Produktangebote EGF1BHE3_A/I
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 7500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| EGF1BHE3_A/I |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
