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EGF1T-E3/5CA

EGF1T-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division

egf1t.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
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Technische Details EGF1T-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EGF1T-E3/5CA EGF1T-E3/5CA Vishay General Semiconductor egf1t.pdf Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
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EGF1T-E3/5CA EGF1T-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
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