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EGL1M

EGL1M Diotec Semiconductor

egl1a.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C
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Technische Details EGL1M Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

Weitere Produktangebote EGL1M nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EGL1M EGL1M Hersteller : Diotec Semiconductor egl1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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EGL1M Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1M-DIO SMD universal diodes
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EGL1M EGL1M Hersteller : Diotec Semiconductor egl1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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