EGL41D-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.07 EUR |
| 32+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 2000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details EGL41D-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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EGL41D-E3/97 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated |
auf Bestellung 7004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| EGL41D-E3/97 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
auf Bestellung 7004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)