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EGP10K

EGP10K ON Semiconductor

egp10k-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details EGP10K ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EGP10K EGP10K Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS25872-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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EGP10K EGP10K Hersteller : ON Semiconductor egp10k-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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EGP10K EGP10K Hersteller : onsemi / Fairchild 0D7BC0B8ECC3C853131EA072480AF8C95AD1F992D1610A4EC543B25379F8DE4C.pdf Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery
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EGP10K EGP10K Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003590773-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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EGP10K Hersteller : ONSEMI FAIRS25872-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - EGP10K - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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EGP10K EGP10K
Produktcode: 106955
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EGP10K EGP10K Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003590773-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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EGP10K Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590773-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIRS25872-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; reel,tape; DO41; 75ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Case: DO41
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Reverse recovery time: 75ns
Load current: 1A
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