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Technische Details ELL-ATV8R2N Panasonic
Description: PANASONIC - ELLATV8R2N - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 3.7 A, Geschirmt, Sättigungsstrom (Isat): -, Induktivitätstoleranz: ± 30%, Induktivität: 8.2, RMS-Strom Irms: 3.7, DC-Widerstand, max.: 0.018, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote ELL-ATV8R2N
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ELL-ATV8R2N | Panasonic Electronic Components |
 Description: FIXED IND 8.2UH 3.7A 18 MOHM SMD |
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ELL-ATV8R2N | Panasonic Electronic Components |
Description: FIXED IND 8.2UH 3.7A 18 MOHM SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ELLATV8R2N | PANASONIC |
Description: PANASONIC - ELLATV8R2N - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 3.7 A, Geschirmt Sättigungsstrom (Isat): - Induktivitätstoleranz: ± 30% Induktivität: 8.2 RMS-Strom Irms: 3.7 DC-Widerstand, max.: 0.018 Bauart der Induktivität: Geschirmt Produktpalette: - SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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| ELL-ATV8R2N |
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Description: FIXED IND 8.2UH 3.7A 18 MOHM SMD
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| ELL-ATV8R2N |
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Description: FIXED IND 8.2UH 3.7A 18 MOHM SMD
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| ELLATV8R2N |
Hersteller: PANASONIC
Description: PANASONIC - ELLATV8R2N - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 3.7 A, Geschirmt
Sättigungsstrom (Isat): -
Induktivitätstoleranz: ± 30%
Induktivität: 8.2
RMS-Strom Irms: 3.7
DC-Widerstand, max.: 0.018
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: PANASONIC - ELLATV8R2N - Leistungsinduktivität (SMD), 8.2 µH, 3.7 A, Geschirmt
Sättigungsstrom (Isat): -
Induktivitätstoleranz: ± 30%
Induktivität: 8.2
RMS-Strom Irms: 3.7
DC-Widerstand, max.: 0.018
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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