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EM6K34T2CR

EM6K34T2CR Rohm Semiconductor

datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
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27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
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Technische Details EM6K34T2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EM6K34T2CR EM6K34T2CR ROHM em6k34.pdf Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
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Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
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EM6K34T2CR EM6K34T2CR ROHM em6k34.pdf Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
432+0.54 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
4000+0.25 EUR
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EM6K34T2CR EM6K34T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
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EM6K34T2CR em6k34.pdf
EM6K34T2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
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EM6K34T2CR em6k34.pdf
EM6K34T2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: -
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EM6K34T2CR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
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Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 5500 Stücke:
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