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EM6K6T2R

EM6K6T2R Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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581+0.3 EUR
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Technische Details EM6K6T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 470 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
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470+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 470 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3547 Stücke:
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296+0.6 EUR
452+0.38 EUR
497+0.33 EUR
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2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
152+0.56 EUR
202+0.42 EUR
211+0.4 EUR
244+0.35 EUR
500+0.25 EUR
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2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
auf Bestellung 11391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
8000+0.25 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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EM6K6T2R EM6K6T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 5051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5051 Stücke
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EM6K6T2R ROHM datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 10+ EMT6
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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EM6K6 T2R ROHM SOT26/SOT363
auf Bestellung 7946 Stücke:
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EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
470+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
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EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 4574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
470+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 470 Stücke
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EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
296+0.6 EUR
452+0.38 EUR
497+0.33 EUR
580+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 296 Stücke
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EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+0.82 EUR
152+0.56 EUR
202+0.42 EUR
211+0.4 EUR
244+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 7016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
auf Bestellung 11391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
8000+0.25 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2R em6k6t2r-e.pdf
EM6K6T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+1.45 EUR
279+0.83 EUR
435+0.49 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K6T2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 5051 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5051 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6T2R datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
10+ EMT6
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EM6K6 T2R
Hersteller: ROHM
SOT26/SOT363
auf Bestellung 7946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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