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EM6K6T2R

EM6K6T2R Rohm Semiconductor

em6k6t2r-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
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Technische Details EM6K6T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : Rohm Semiconductor em6k6t2r-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : ROHM em6k6t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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EM6K6T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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143+0.50 EUR
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625+0.11 EUR
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EM6K6T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.4Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
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EM6K6T2R Hersteller : ROHM datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 10+ EMT6
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EM6K6T2R Hersteller : Rohm datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
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EM6K6 T2R Hersteller : ROHM SOT26/SOT363
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EM6K6T2R EM6K6T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
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