EM6K6T2R Rohm Semiconductor
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Technische Details EM6K6T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote EM6K6T2R nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A 6-Pin EMT T/R |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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EM6K6T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K6T2R - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| EM6K6T2R | Hersteller : ROHM |
10+ EMT6 |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| EM6K6 T2R | Hersteller : ROHM | SOT26/SOT363 |
auf Bestellung 7946 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| EM6K6T2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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EM6K6T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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| EM6K6T2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 300mA; Idm: 0.6A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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