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EMD12T2R

EMD12T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMD12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
37+0.48 EUR
100+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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Technische Details EMD12T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Weitere Produktangebote EMD12T2R nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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EMD12T2R EMD12T2R Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
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Anzahl Preis
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100+0.26 EUR
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EMD12 T2R Hersteller : RHOM sot-563 04+
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EMD12T2R Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMD12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMD12T2R Complementary transistors
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EMD12T2R EMD12T2R Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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