EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote EMD22FHAT2R nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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EMD22FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
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EMD22FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
auf Bestellung 7870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EMD22FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EMD22FHAT2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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EMD22FHAT2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
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EMD22FHAT2R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC |
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| EMD22FHAT2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair |
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