EMD9T2R Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
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Technische Details EMD9T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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