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EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi

emx1dxv6t1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details EMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-563, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G onsemi EMX1DXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN
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EMX1DXV6T1G EMX1DXV6T1G onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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