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EMZ51T2R

EMZ51T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMZ51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details EMZ51T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EMZ51T2R EMZ51T2R ROHM datasheet?p=EMZ51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15970 Stücke:
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405+0.62 EUR
654+0.36 EUR
1563+0.14 EUR
1725+0.12 EUR
1924+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
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EMZ51T2R EMZ51T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EMZ51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN, SOT-563, Driver Transistor
auf Bestellung 6285 Stücke:
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10+0.44 EUR
100+0.29 EUR
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EMZ51T2R EMZ51T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMZ51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
auf Bestellung 8000 Stücke:
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24+0.88 EUR
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EMZ51T2R datasheet?p=EMZ51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMZ51T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EMZ51T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 400MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 350MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: EMT6
Frequency - Transition: 400MHz, 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
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