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EMZ7T2R

EMZ7T2R ROHM Semiconductor

datasheet?p=EMZ7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 12V 500MA
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Technische Details EMZ7T2R ROHM Semiconductor

Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EMZ7T2R EMZ7T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMZ7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
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EMZ7T2R EMZ7T2R ROHM emz7t2r-e.pdf Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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EMZ7T2R EMZ7T2R ROHM emz7t2r-e.pdf Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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EMZ7 T2R ROHM EMT6
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EMZ7 T2R ROHM SOT663
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EMZ7T2R
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Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
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EMZ7T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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EMZ7T2R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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SOT663
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