EPC2069
Hersteller: EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 6 EUR |
| 2000+ | 5.62 EUR |
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Technische Details EPC2069 EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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EPC2069 | Hersteller : EPC |
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE Packaging: Cut Tape (CT) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
auf Bestellung 8111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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