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EPC2069

EPC2069

EPC2069_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Technische Details EPC2069 EPC

Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1+7.4 EUR
10+3.81 EUR
100+3.45 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.63 EUR
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EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
auf Bestellung 8111 Stücke:
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2+12.59 EUR
10+10.78 EUR
100+8.98 EUR
500+7.93 EUR
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GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
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1000+2.63 EUR
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Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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