EPC2069
Hersteller: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
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Technische Details EPC2069 EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +6V, -4V, Part Status: Not For New Designs.
Weitere Produktangebote EPC2069 nach Preis ab 7.93 EUR bis 12.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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EPC2069 | EPC |
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +6V, -4V Part Status: Not For New Designs FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 8111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC2069 |
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Hersteller: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.59 EUR |
| 10+ | 10.78 EUR |
| 100+ | 8.98 EUR |
| 500+ | 7.93 EUR |