Technische Details ES1B R2G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950, Sperrverzögerungszeit: 35, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote ES1B R2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ES1B R2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 ABauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1B R2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ES1B R2G |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1B R2G |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1B R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
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