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ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7470 Stücke:
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AnzahlPreis
28+0.63 EUR
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Technische Details ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ES1BHE3_A/I ES1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor es1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
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5000+0.15 EUR
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