ES1D R2G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1D R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassspannung Vf max.: 950
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 35
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details ES1D R2G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1D R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassspannung Vf max.: 950, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 35, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote ES1D R2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ES1D R2G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
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