ES1DL Taiwan Semiconductor
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Technische Details ES1DL Taiwan Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123FL, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ES1DL nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
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ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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ES1DL | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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ES1DL | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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| ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ES1DL | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ES1DL | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 950mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: subSMA Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching |
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