ES1HL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details ES1HL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1H, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ES1HL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ES1HL R3G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 500 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 500V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1HL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 500V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA |
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