ES3A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details ES3A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO214AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ES3A-E3/9AT ES3A-E3/9AT Vishay General Semiconductor es3.pdf Rectifiers 50 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
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10+0.8 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3500+0.35 EUR
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