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ESD101B102ELSE6327XTSA1

ESD101B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies

ESD101_B1_02series_rev_1_0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 30VC PGTSSLP24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-4
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.3V (Typ)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details ESD101B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TVS DIODE 5.5VWM 30VC PGTSSLP24, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Applications: RF Antenna, Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max), Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-4, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 7.3V (Typ), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V, Power Line Protection: No, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape
Mounting: SMD
Leakage current: 20nA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
auf Bestellung 8196 Stücke:
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ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_ESD101_B1_DS_v01_04_EN.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODES
auf Bestellung 250609 Stücke:
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ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD101_B1_02series_rev_1_0.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433e9d5d11013e9d6619a20002 Description: TVS DIODE 5.5VWM 30VC PGTSSLP24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-4
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.3V (Typ)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape
Mounting: SMD
Leakage current: 20nA
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
auf Bestellung 8196 Stücke:
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODES
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 30VC PGTSSLP24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-4
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.3V (Typ)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power Line Protection: No
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