ESD7561N2T5G onsemi
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Technische Details ESD7561N2T5G onsemi
Description: TVS DIODE 16VWM 39VC 2X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: RF Antenna, Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A (100ns), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max), Supplier Device Package: 2-X2DFN (1x0.6), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 16.5V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39V (Typ), Power Line Protection: No, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote ESD7561N2T5G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| ESD7561N2T5G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - ESD7561N2T5G - ESD7561N2T5G, ZENER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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ESD7561N2T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 16V Automotive 2-Pin X2-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESD7561N2T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TVS DIODE 16VWM 39VC 2X2DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: RF Antenna Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A (100ns) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V (Max) Supplier Device Package: 2-X2DFN (1x0.6) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 16.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 39V (Typ) Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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