ESD8472MUT5G ON Semiconductor
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Technische Details ESD8472MUT5G ON Semiconductor
Description: TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: RF Antenna, Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max), Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V, Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote ESD8472MUT5G nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : onsemi |
 Description: TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: RF Antenna Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max) Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V Power Line Protection: No Part Status: Active |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : onsemi |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection Ultra-Low Capacitance RF ESD Protection |
auf Bestellung 336526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : onsemi |
Description: TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: RF Antenna Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max) Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V Power Line Protection: No Part Status: Active |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD8472MUT5G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, X3DFN2, 2 Pin(s), 5.3 V, 300 mW, ESD84 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: X3DFN2 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD84 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD8472MUT5G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, X3DFN2, 2 Pin(s), 5.3 V, 300 mW, ESD84 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: X3DFN2 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD84 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD8472MUT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R |
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| ESD8472MUT5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 7÷12V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5.3V Breakdown voltage: 7...12V Semiconductor structure: bidirectional Case: X3DFN2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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