ESDALCL5-1BM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: TVS DIODE 3VWM SOD882
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: SOD-882
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis |
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| 12000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details ESDALCL5-1BM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ESDALCL5-1BM2 - ESD-Schutzbaustein, SOD-882, 2 Pin(s), 5 V, 150 W, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-882, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Begrenzungsspannung Vc, max.: -, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Betriebsspannung: 5V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ESDALCL5-1BM2 nach Preis ab 0.093 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3V 2-Pin SOD-882 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3V 2-Pin SOD-882 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes Single-line low cap 13V Vbr 26pF 10nA |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 3VWM SOD882 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V Supplier Device Package: SOD-882 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5V Power - Peak Pulse: 150W Power Line Protection: No Part Status: Active |
auf Bestellung 33769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ESDALCL5-1BM2 - ESD-Schutzbaustein, SOD-882, 2 Pin(s), 5 V, 150 W tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-882 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ESDALCL5-1BM2 - ESD-Schutzbaustein, SOD-882, 2 Pin(s), 5 V, 150 W tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-882 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 3V 2-Pin SOD-882 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3V 2-Pin SOD-882 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressor TVS Bi-Dir 3V 2-Pin SOD-882 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESDALCL5-1BM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 150W; 13V; 9A; bidirectional; SOD882; reel,tape; Ch: 1 Type of diode: TVS Breakdown voltage: 13V Mounting: SMD Case: SOD882 Kind of package: reel; tape Version: ESD Number of channels: 1 Max. forward impulse current: 9A Peak pulse power dissipation: 0.15kW Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 10nA |
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