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Technische Details ESDONCAN1LT1G onsemi
Category: Transil diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 3A; 0.2W; bidirectional,double; SOT23, Type of diode: TVS array, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 24V, Semiconductor structure: bidirectional; double, Features of semiconductor devices: ESD protection, Capacitance: 10pF, Case: SOT23, Max. forward impulse current: 3A, Leakage current: 0.1µA, Kind of package: reel; tape, Application: CAN, Peak pulse power dissipation: 0.2W, Breakdown voltage: 26.2...32V, Number of channels: 2, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote ESDONCAN1LT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: TVS DIODE 24V 50V SOT23-3 |
auf Bestellung 34237 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TVS DIODE 24V 50V SOT23-3 |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 3A; 0.2W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Max. off-state voltage: 24V Semiconductor structure: bidirectional; double Features of semiconductor devices: ESD protection Capacitance: 10pF Case: SOT23 Max. forward impulse current: 3A Leakage current: 0.1µA Kind of package: reel; tape Application: CAN Peak pulse power dissipation: 0.2W Breakdown voltage: 26.2...32V Number of channels: 2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESDONCAN1LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 3A; 0.2W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Max. off-state voltage: 24V Semiconductor structure: bidirectional; double Features of semiconductor devices: ESD protection Capacitance: 10pF Case: SOT23 Max. forward impulse current: 3A Leakage current: 0.1µA Kind of package: reel; tape Application: CAN Peak pulse power dissipation: 0.2W Breakdown voltage: 26.2...32V Number of channels: 2 |
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