ESH2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 200V, ULTRA FAST RECOV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-128
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 0.8 EUR |
| 31+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2000+ | 0.27 EUR |
| 5000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details ESH2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 960mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ESH2DFSH nach Preis ab 0.84 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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ESH2DFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESH2DFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ESH2DFSH |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 1.44 EUR |
| 277+ | 0.84 EUR |
| ESH2DFSH |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 174+ | 1.44 EUR |
| 277+ | 0.84 EUR |