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ESH2PDHM3/84A

ESH2PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

esh2pb.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 860 Stücke:
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Technische Details ESH2PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-220AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-220AA (SMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.

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Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
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Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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